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型号/规格:STD4NK60ZT4 品牌/商标:ST(意法半导体) 封装形式:D2PAK 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:大功率 种类:绝缘栅(MOSFET) 用途:MOS-INM/独立组件 封装外形:CHIP/小型片状 材料:GE-P-FET锗P沟道 导电方式:增强型 漏极电流:4.2 跨导:1400 极间电容:600

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型号/规格:FQL40N50 品牌/商标:FAIRCHILD(飞兆) 封装形式:TO264 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:整盒包装 功率特征:大功率 导电方式:增强型 用途:L/功率放大 种类:绝缘栅(MOSFET) 材料:N-FET硅N沟道

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型号/规格:FGH40N65UFDTU 品牌/商标:FAIRCHILD(飞兆) 环保类别:无铅环保型 封装形式::TO247 安装方式::直插式 包装方式:整包包装

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型号/规格:FGH60N60UFDTU 品牌/商标:FAIRCHILD(飞兆) 环保类别:无铅环保型 封装形式::TO247 3L 安装方式::直插式 包装方式:整包包装 温度范围::-40°C 至 125°C